[코스피] 전력반도체 소자 및 공정 개발 (대리/과장급)

모집부문

주요업무

자격요건

근무지

BCD
소자개발

∙ BCD 소자개발
∙ 소자 특성 평가 및 분석
∙ Process Integration

[필수]
∙ Power Device/제품개발 경력 2년 이상(석사), 4년 이상(학사)

[우대]
∙ 소자 Design 및 Process Set-up 경험자

충북
(음성)

BCD 기반
eNVM 개발

∙ BCD 기반 eNVM 개발

[필수]
∙ 전자/전기 등 반도체 관련 전공 석사 이상
∙ CMOS Device Engineering 경험 5년 이상

[우대]
∙ NVM/eNVM cell 및 공정개발 경험자
∙ DP-EEPROM Operation 및 IP개발 경험자

충북
(음성)

CMOS
소자 및 공정개발

∙ CMOS Process Integration
∙ CMOS & Passive 소자 및 공정 개발
∙ 소자 특성 평가 및 분석, 개선 (DC/RF)
∙ TCAD, Mask Work, TEG Design & Layout
∙ 제품 개발, 불량 분석, 공정 안정화, 수율개선
∙ PDK 개발 및 관리

[필수]
∙ PI(Process Integration) 경력 2년 이상(석사), 3년 이상(학사)

[우대]
∙ RF 관련 전공자
∙ PDK 개발 경험자

충북
(음성)

DDI 공정개발

∙ DDI 공정 및 제품 개발 (IT향/TV향 공정)
∙ 소자 특성 평가 및 분석, 개선
∙ 공정 이슈 분석 및 개선
∙ Mask Work, TEG Design & Layout
∙ 제품 개발, 불량 분석, 공정 안정화, 수율개선
∙ PDK 개발 및 관리

[필수]
∙ PI (Process Integration) 경력 3년 이상(석사), 5년 이상(학사)

[우대]
∙ DDI 공정 및 제품 개발 유경험자
∙ PDK 개발 유경험자

충북
(음성)

CIS Pixel
& SPAD 개발

∙ CIS Pixel & SPAD 공정 개발
- Process Integration
- Electrical Data Analysis
- TCAD Simulation

[필수]
∙ CMOS Image Sensor 또는 Process Integration 경력 3년 이상

[우대]
∙ Matlab 또는 DC Test 능숙
∙ TCAD Simuluation 2년 이상

경기
(부천)

GaN
Epi 공정개발

∙ GaN 650V용 GaN Epi Wafer 공정개발

[필수]
∙ GaN용 MOCVD Hardware/Software 경험자
∙ GaN Epi 구조설계 경험자
∙ GaN Epi quality 분석 경험자

[우대]
∙ “GaN on Si” process integration & characterization 경험자
∙ GaN Epi Wafer 개발 위한 PL, XRD, Hall Data 분석 경험자

충북
(음성)