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에스케이하이닉스(주) 기업소개

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요약정보

  • 1949년 10월 15일 설립
    업력 71년차
  • 기업형태
    1000대기업
    상세설명
    • 코스피
    • 대기업
    • 1000대기업
    • 외부감사법인
    • 수출입 기업
  • 사원수
    27,593명
  • 매출액
    40조 3,246억 5,100만원

기업소개

01업종
발광 다이오드 제조업
02대표자명
이석희
03사업내용
반도체,컴퓨터,통신기기 제조,도매

걸어온 길

  • 2013. 06 램버스社와 포괄적 특허 라이선스 계약 체결
  • 2013. 06 20나노급 8Gb LPDDR3 개발
  • 2013. 03 김준호 사내이사 1인 신규 선임
  • 2012. 09 플래시 솔루션 디자인 센터 설립
  • 2012. 06 낸드플래시 개발업체 아이디어플래시(Ideaflash S.r.l.) 인수
  • 2012. 03 상호 변경 : 에스케이하이닉스(주)
  • 2011. 03 대표이사 변경 : 권오철
  • 2011. 03 30나노급 2Gb DDR4 개발
  • 2010. 12 30나노급 4Gb DDR3 개발
  • 2010. 06 중국 후공정 합작공장 HITECH 준공
  • 2010. 02 20나노급 64Gb 낸드플래시 개발
  • 2010. 01 40나노 2Gb 모바일 DRAM 개발
  • 2009. 12 40나노 2Gb GDDR5 개발
  • 2009. 10 2세대 1Gb DDR3 개발
  • 2009. 02 44나노 DDR3 D램 개발
  • 2008. 12 54나노 2Gb 고용량 모바일 D램 개발
  • 2008. 12 8단 적층 낸드플래시 개발
  • 2008. 06 중셀(X3) 기술 기반 32Gb 낸드 플래시 개발
  • 2008. 06 실리콘화일社 지분취득 결정 및 기존 파운드리 계약범위 확대
  • 2007. 11 '일하는 이사회'를 위한 신(新)이사회 제도 도입
  • 2007. 11 1Gb GDDR5 개발
  • 2007. 09 초박형(25㎛) 24단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
  • 2007. 08 200MHz 1Gb 모바일 D램 개발
  • 2007. 07 공정거래 자율준수프로그램 도입
  • 2007. 05 초박형(25마이크로미터) 20단 낸드 플래시 MCP(Multi-chip Package) 개발
  • 2007. 04 퓨전메모리 제품 DOC(Disk On Chip) H3 양산
  • 2007. 04 청주 신규 300mm 공장 착공
  • 2007. 03 ECC회로 적용한 185HMz 512Mb 모바일 D램 개발
  • 2007. 03 대표이사 변경 : 김종갑
  • 2006. 12 200MHz 512Mb 모바일 DRAM 개발
  • 2006. 12 60나노급 1Gb DDR2 기반 1GB DDR2 800MHz 모듈 개발
  • 2006. 09 300mm 연구소(R3 R&D Fab) 설립
  • 2005. 12 513Mb GDDR4(11.6GBPS) D램 개발
  • 2005. 11 JEDEC 표준형 8GB DDR2 R-DIMM과 2GB DDR VLP R-DIMM 개발
  • 2005. 07 채권금융기관 공동관리 조기종료
  • 2005. 04 중국 장쑤성 우시시에 중국 현지 합작공장 착공
  • 2005. 01 전력 소모 30%이 줄인 서버용 메모리 모듈 개발
  • 2004. 10 비메모리 사업부문 영업양도 완료
  • 2004. 06 1Gb DDR2 고성능 서버용 4GB 모듈(RDIMM) 및 노트북용 2GB 모듈(SoDIMM) 시제품 출시
  • 2004. 03 DDR2 SD램 550MHz 개발
  • 2004. 03 노트북용 1GB DDR2모듈 (SODIMM)출시
  • 2004. 02 512Mb 낸드 플래시메모리 개발 성공
  • 2003. 09 셀레스티카사로부터 우수 협력업체 수상
  • 2003. 08 1기가 DDR2램 개발 성공
  • 2003. 08 0.18미크론 고전압 공정기술 세계 최초 개발
  • 2003. 07 초고속 256메가 DDR500 출시
  • 2003. 06 4천96 색상 구현 유기 EL 구동 칩 출시
  • 2003. 06 환경/안전/보건 기술연구소 설립
  • 2003. 05 0.10미크론급 골든칩 양산기술성공 모바일용 초저전력 256메가 sd램 양산
  • 2003. 03 하이닉스반도체, CMOS 고주파 PLL 집적회로 칩 출시
  • 2003. 03 하이닉스반도체, 업계 최초 메가급 Fe램 상용화 기술 개발
  • 2003. 02 대표이사 변경 : 우의제
  • 2002. 12 -메인 및 그래픽 메모리용 초고속256메가 DDR SD램 출시
  • 2002. 12 그래픽 메모리용 초고속 128메가 DDR SD램 출시-
  • 2002. 08 메모리 모듈 국내 판매 사이트 오픈
  • 2002. 08 그래픽 메모리용 초고속 256메가 DDR SD램 최초 출시
  • 2002. 07 블루투스 '임베디드 플래시 베이스밴츠침' 개발, 우의제 대표이사 선임
  • 2002. 06 고성능 정보가전용 256메가 SD램 최초 출시
  • 2002. 05 대표이사 변경 : 박상호
  • 2002. 03 1기가 DDR D램 모듈 출시
  • 2001. 12 그래픽용 128M DDR SDRAM 세계 최초 출시
  • 2001. 10 0.10미크론급 512메가 DDR 개발
  • 2001. 10 카오디오용 8비트 MCU 개발/양산 돌입
  • 2001. 07 통신 ADSL 사업부문 현대시스콤으로 분사
  • 2001. 07 LCD 사업부문 현대디스플레이테크놀로지로 분사
  • 2001. 06 국내외 대규모 GDR 발행 성공
  • 2001. 05 통신네크워크 사업부문 현대네트웍스로 분사
  • 2001. 05 통신단말기 사업부문 현대큐리텔로 분사, 1메가 강유전체 메모리 (FeRAM) 개발
  • 2001. 04 그래픽용 세계 최고속 DDR SD램 양산
  • 2001. 03 상호 변경 : (주)하이닉스반도체
  • 2001. 01 초고속 512메가 DDR SDRAM 개발
  • 2000. 12 초소형 256MB 반도체 모듈 개발
  • 2000. 10 인도 CDMA WLL 장비시장 진출, 가정의 날 휴가제조 시행
  • 2000. 10 전사적 자원관리 시스템(ERP) 본격 가동
  • 2000. 08 새슬로건 Human & Digital선포, PDP사업부문 분사
  • 2000. 08 신기능 15.0/18.1인치 TFT-LCD 모듈 개발
  • 2000. 07 '글로벌 자금관리 시스템' 운용개시
  • 2000. 06 차세대 고성능 18.1인치 TFT-LCD 개발 양산
  • 2000. 05 국내 최초 ADSL 시스템 수출개시
  • 2000. 05 세계 최초로 메모리카드용 USB IC 'Music Charger' 개발
  • 2000. 04 MPEG-4/7기술 국제 표준 작업에 채택, 배터리 충전기용 MCU 개발 양산
  • 2000. 03 세계 최소형 256메가 싱크로너스 D램 사용제품 개발
  • 2000. 02 미 인텔사로부터 '인텔 개발자 회의'에서 CMTL상 수상
  • 1999. 12 국내 대형 제조업체중 최초로 스톡옵션제 시행
  • 1999. 11 19모니터, 독일 PC전문지로부터 최우수 모니터 선정
  • 1999. 11 세계최초로 신메모리 공정기술 개발
  • 1999. 10 현대반도체(주) 흡수합병
  • 1999. 06 세계 최고속 그래픽용 16M 싱크로너스 D램 양산
  • 1999. 02 국내최초 MP3 디코더 칩 생산
  • 1998. 12 0.25um 비메모리 제조기술 개발
  • 1998. 12 세계 최초 4기가 D램용 감광제 양산 기술화 성공및 기술수출
  • 1998. 11 세계 최고속 128M SDRAM 양산
  • 1998. 10 4세대 64M 싱크로너스 DRAM 개발
  • 1998. 09 64M DDR 싱크로너스 DRAM 개발
  • 1998. 09 차세대 메모리 FeRAM개발, 세계 최소형 Direct Rambus DRAM개발
  • 1998. 08 MAXTOR(HDD제조공급) 나스닥 상장
  • 1998. 05 미국 오레건주 유진 반도체공장 준공
  • 1998. 04 미국내 반도체 디자인회사 설립, 순수 국내기술 '음성인식' PCS 단말기 출시
  • 1998. 03 MPEG-4 핵심기술 국제표준안 채택
  • 1998. 02 26인치 PDP 독자개발, 세계 최초 초고속 64M SDRAM 양산 성공
  • 1998. 02 국내최초 자동차용 비메모리 반도체 개발
  • 1997. 12 국내최초 디지털 HDTV방송시스템 개발, 64M DRAM 월산 500만개 생산체제 구축
  • 1997. 11 세계최초 싱크링크 DRAM 시제품 개발
  • 1997. 09 중국대련 HDD공장 착공
  • 1997. 05 SOI 기술을 이용한 1기가 싱크로너스 DRAM 개발
  • 1997. 03 뉴질랜드 위성통신서비스사업 참여, 대표이사 변경 : 김영환
  • 1996. 12 기업공개 및 상장, TFT-LCD공장 준공 및 생산가동
  • 1996. 10 영국 스코틀랜드 반도체공장 설치
  • 1996. 09 대만 위성통신서비스사업 참여
  • 1996. 08 인도 위성통신사업 본격 참여
  • 1996. 07 반도체 제7공장 준공및 생산가동
  • 1996. 02 미국 오레건주 반도체공장(HSA) 착공
  • 1995. 12 국내 10대 제조업체인 진입
  • 1995. 10 세계 최초 256M SDRAM 개발
  • 1995. 09 국내 최초 386CPU CHIP개발
  • 1995. 08. 01 미국 정부 Workstation 납품업체 선정
  • 1995. 06 미국 개인휴대통신 (PCS)사업참여
  • 1995. 04. 01 세계 최초 MPEG2 SAVI 디코더칩 개발
  • 1993. 10 인공위성사업 본격 추진
  • 1993. 03 뉴미디어 (디지털가전)사업 착수
  • 1992. 09. 29 반도체 64M DRAM 개발
  • 1991. 03 반도체 16M DRAM 개발성공, PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
  • 1989. 12 CAMERA 생산개시
  • 1989. 09 반도체 4M DRAM 개발
  • 1988. 06 PC부문 미정부 공식 납품업체 자격획득
  • 1988. 01 IM DRAM 개발성공
  • 1986. 10. 10 이천공장 종합준공식
  • 1985. 11. 01 CMOS 256KDRAM 시제품 개발
  • 1985. 07. 31 256KDRAM,IMDRAM,256KSRAM 기술도입인가
  • 1984. 10. 05 반도체 1공장,산업전자,정보공장 가준공
  • 1983. 10. 07 현대전자공장 가동
  • 1983. 02. 23 상호 변경 : 현대전자산업(주)
  • 1949. 10. 15 국도건설(주) 설립
출처 :
NICE평가정보

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에스케이하이닉스(주) 기업이 보유한 기술입니다!

  • 특허권

    임피던스 요소를 포함하는 회로 및 그의 레이아웃 방법

    취득일 :
    2009-07-29
    특허권

    임피던스 요소를 포함하는 회로 및 그의 레이아웃 방법

    취득일 :
    2009-07-29
  • 특허권

    반도체 소자의 제조방법

    취득일 :
    2007-11-27
    특허권

    반도체 소자의 제조방법

    취득일 :
    2007-11-27
  • 특허권

    유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이

    취득일 :
    2005-01-21
    특허권

    유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이

    취득일 :
    2005-01-21
  • 특허권

    자기저항 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이

    취득일 :
    2005-07-27
    특허권

    자기저항 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이

    취득일 :
    2005-07-27
출처 :
이크레더블

SK 계열사

SK

105개의 계열사가 있습니다.

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2019-06-26 업데이트 되었습니다.

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